| 晶圆蒸发腔体（Process Module） | 方箱型，不锈钢腔体，具备观察窗，8英寸晶圆，并向下兼容，电子束蒸发源具有独立自动挡板 |
| 晶圆上载系统（LoadLock） | 铝质腔体，全自动晶圆自动上载腔体，可放置单片或25片晶圆，晶圆尺寸最大8英寸，并向下兼容，晶圆上升、下降机械手 |
| 电子枪 | 蒸发源≤10kW，6穴坩埚/单穴容量≥12cc，自动旋转选择，其表面距晶圆距离TSD≥30cm； |
| 蒸发方式 | 蒸发枪在腔体底部中心，向上蒸发 |
| 工艺气体 | O2 |
| 晶圆上载腔体背底真空 | ≤ 3E-6 Torr |
| 晶圆蒸发腔体背底真空 | ≤ 3E-7 Torr |
| 在线膜厚仪 | 石英晶体膜厚测试仪 |
| 样品台加热最高温度 | 1100℃ |
| 样品台垂直运动范围 | ±10cm |
| 样品台倾斜角度范围、精度 | 倾斜角度范围0-50°，精度0.1° |
| 样品台转速范围、精度 | 旋转速度可调节，转速范围0-30rpm ，精度0.1° |
| 真空系统 | 2个分子泵、2个干泵 |
| 镀膜厚度均匀性 | σ≤2.0%，49Pts/5mmEE（8英寸晶圆，并向下兼容） |
