产品技术
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| 产品技术 | 薄膜沉积
AVP 6T GMR PVD
-广泛适用于MEMS器件、GMR、TMR器件、多层膜、磁性薄膜沉积
-成熟、可靠、低成本、高产能、7/24连续运行的薄膜沉积系统
-欧美工业生产验证的、成熟的8英寸RF、DC、Pulsed DC等薄膜沉积工艺
-6靶材工艺腔体,尤其适合GMR、TMR等多层膜沉积
产品参数
AVP 6T GMR PVD
工艺腔体(PM)6英寸晶圆,6个12英寸靶材;或8英寸晶圆,6个13英寸靶材
运输腔体(TM)Brooks MarathronTM Express,带晶圆位置校准仪
样品上、下载腔体(LL)Brooks VCE, 12片或定制晶圆盒(Cassette)
磁控管直流/脉冲直流/射频/射频磁控;置于腔体上盖自动靶材挡板
典型靶材电源直流/脉冲直流磁控:最大5kW;射频/射频磁控:最大10kW
晶圆基座
偏压~1kW射频电源,用于晶圆置偏压或预清洁
偏置磁场双向偏磁场(垂直、平行)
气体Ar, O2, N2
基底真空< 2 x 10-8 Torr
高真空泵可选,冷泵/分子泵 + 水泵 + 机械泵
自动控制DeviceNet/PLC
软件基于最新WINDOWS的工业控制软件
薄膜均匀性σ  < 1.0%