AVP HR PVD System

-高浓度离子辅助的倾角溅射（Directional Sputtering）
-高速率反应溅射，如Al2O3的沉积速率 > 1nm/s
-优异的薄膜厚度均匀性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
-基片背面氦气冷却，基片温度（<50°C）
-高靶材使用率（>80%）