| 腔体材料 | 不锈钢 |
| 配置 | 单片载物腔体/集团化结构 |
| 操作腔体 | IBE射频刻蚀 |
| 射频离子电源 | SEREN射频电源和匹配网络，2千瓦 |
| 金属栅 | 可选，高电流密度栅/低电流密度栅 |
| PBN | DC 60/600V |
| 基片台控制 | GAIL运动控制系统 |
| 基片台转动 | 0~15 RPM |
| 基片台倾斜角 | 0~160 度 |
| 基片尺寸 | 8英寸 |
| 基片背冷 | 氦气 |
| 终点探测仪 | 可选， HIDEN |
| 气路 | 3~6路，100 sccm气流控制器 |
| 气体 | Ar, O2, He |
| 基底真空 | <2 x 10-7 Torr |
| 高真空泵 | 可选，冷泵/分子泵 |
| 自动控制 | DeviceNet/PLC |
| 软件 | 基于最新windows的控制软件 |
| 刻蚀均匀性 | σ<1.0% |
| 刻蚀速率 | 2~90 nm/min， 刻蚀SiO2薄膜 |
