产品技术
Product technology
| 产品技术 | 薄膜刻蚀
AVP ICP RIE System
-广泛适用于氧化硅、氮化物、金属、有机薄膜的刻蚀
-ICP产生的高密度等离子体
-可刻蚀8英寸晶圆或9.5英寸基片
-可靠、低成本、高产能
产品参数
TECHNICAL SPECIFICATIONS
工艺腔体材料陶瓷
布局结构单上载腔体或者团簇式结构
工艺腔体离子源径向ICP
晶圆尺寸Max. 8"
晶圆背冷氦气
Max. ICP 电源功率RF 5 kW
Max. 基座电源功率RF 1 KW
典型气体通道数量6个，100~500 sccm MFC
典型气体Ar, O2, N2, CH4, CF4, SF6, C4F8, Cl2, BCl3, HBr, …
极限真空<5 x 10-7 Torr
真空泵分子泵+干泵
控制系统DeviceNet/PLC
软件基于最新windows的控制软件，可远程调控
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